VCSEL 晶圆探针台

系统主要参数
Wafer 尺寸    4英寸、6英寸（8英寸可定制）
Wafer 厚度    100~220um (±20um)
温度控制方式    TEC+水冷
控温范围    室温 to 90℃
温度均匀性    ±1℃
温度分辨率    0.1℃
升温时间    25℃ to 85℃ 10min以内
XYZ重复定位精度    ±3μm
XY垂直度    <4μm/150mm；
载台平面度    <15μm；
其他功能    自动清针功能，自动针压系统

测试部分参数
电源输出能力：    0~10A；0~10V （或0~20V可配置）
脉冲能力    脉宽最小10us
电流精度    0.22 % + 3 mA
电流分辨率    0.1mA
电压精度    0.05%  + 4 mV
电压分辨率    0.01mV
光谱波长范围&分辨率    810-980nm；0.1nm
功率范围&分辨率    ≤20W；1mW
近场测试参数    均匀性，坏点，发散角，M2等
远场测试参数    发散角，DIP，人眼安全功率等
LIV+SP参数    Vop,Pop,Ith,SE,Rs,PCE,λc,FWHM,RMS等